近期，太原理工大学新型碳材料研究院的刘旭光教授团队通过电化学辅助技术，构建Cu²⁺印迹膜（Cu²⁺-IIF），实现了低浓度下重金属离子的高效去除。在初始浓度为5 ppm时，所制备的离子印迹膜对Cu²⁺的吸附容量达到7.57 mg g^-1，去除率达到90%以上，并且表现出对Cd²⁺、Zn²⁺和Ni²⁺的高选择性。材料制备流程如图1所示。

图1. Cu²⁺-IIF制备示意图

重金属离子具有污染范围广和降解难等特点，已成为水体主要污染之一。众多处理方法中，吸附法因其去除速率快、操作简便等优势，广泛应用于实际生活中。但是传统的吸附剂（比如活性炭等），在低浓度条件下，很难达到高的去除率，并且材料再生过程会产生废酸等二次污染物。该工作结合离子印迹技术的识别特性，采用电化学聚合法，构建电化学活性离子印迹膜，实现低浓度下目标离子的快速识别与捕获，同时依靠电位控制，避免再生过程中二次污染物的产生。

这一成果发表在国际期刊Chemical Engineering Journal (https://www.sciencedirect.com/science/article/pii/S1385894721000760?via%3Dihub)上，我院刘伟峰副教授为该工作的第一作者，刘旭光教授为通讯作者。